l          自主均流技术：模块采用自主均流技术，模块间电流偏差小于3%；l          ZVS软开关技术：为了使开关电源能够在高频下高效率地运行，我公司不断研究开发高频软开关技术，已开发成功ZVS边缘谐振技术，使开关过程损耗大为降低，从而进一步减小体积、减轻重量、极大提高模块性能。1.1ZVS软开关优点2        开关损耗小2        可实现高频化（极限頻率可做到1-2MHz）、开关过程在平滑状态下实现2        恒频运行，谐波成份小2        无吸收电路2        电流、电压应力小      1.2ZVS软开关基本原理硬开关过程和软开关开关过程比较如下图。VDSIVDSI硬开关过程ZVS软开关开关过程         功率MOSFET损耗由三部分组成：开通损耗、关断损耗和导通损耗组成，硬开关在开关过程中电压和电流同时变化，即存在高压大电流的状态，此时损耗很大，一般需要加吸收电路减小开关损耗，同时在关断过程中，VDS会出现过冲，对功率管有较大的损害。ZVS软开关开关过程中开通时VDS降到0V时电流上升，关断时电流降到0A时VDS上升，因而理论上无开关损耗，实际中VDS和电流变化有一定的重叠，但开关损耗和硬开关相比较大大降低。ZVS软开关的电压和电流的变化平滑，VDS无过冲，因而输出谐波成份小、电磁干扰小。§1           模块技术指标l  交流输入三相输入额定电压：380V，50HZ。电压变化范围：323V-437V。频率变化范围：50HZ±10%。l  直流输出输出额定值：10A(5A)(20A)/220V            10A(20A)/110V电压调节范围：194V-291V              97V-145.5V输出限流范围：(5%-100%)×额定电流稳压精度：≤0.5%稳流精度：≤0.5%