制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-254-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 400 V Id-连续漏极电流: 14 A Rds On-漏源导通电阻: 415 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 150 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 高度: 13.84 mm  长度: 13.84 mm  晶体管类型: 1 N-Channel  宽度: 6.6 mm  商标: Infineon / IR  下降时间: 130 ns  产品类型: MOSFET  上升时间: 190 ns  子类别: MOSFETs  典型关闭延迟时间: 170 ns  典型接通延迟时间: 35 ns