HTR-4立式4寸快速退火炉   HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，技术指标高、工艺复杂、专用性强。 主要应用领域： 1.快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)； 2.离子注入/接触退火； 3.金属合金； 4.热氧化处理； 5.化合物合金（砷化镓、氮化物等）； 6.多晶硅退火； 7.太阳能电池片退火； 8.高温退火； 9.高温扩散。 产品特点： ·         可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。 ·         压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。 ·         存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。 ·         快速控温与高真空：最高升温速率可达150℃/s，真空度最高可达到10-5Pa。 ·         程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。 ·         独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1%。 ·         全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。 ·         超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。 ·         ·         主要技术参数： 最大样品尺寸 4英寸（直径100mm） 控温范围 RT~1200℃ 升温速率（max） 150℃/s 高温段降温速率（max） 1200℃/min 控温精度 ±0.5℃ 温场均匀性 ≤1%  气体流量 标配1路MFC控制（氮气）可扩展至4路 压力控制 ~1bar，±100Pa 工艺条件 支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛，一键设置通过软件控制真空及通气时间 ·